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ZXMN3A04KTC

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Spécifications

Modèle de produit

ZXMN3A04KTC
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZXMN3A04KTC.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252-3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.15W (Ta)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

ZXMN3A04KTCCT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

36.8nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 12A (Ta) 2.15W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12A (Ta)

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ZXMN3A14FTA

La description:

Fabricant: DIODES

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