ZXMN3B04N8TA

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Spécifications

Modèle de produit

ZXMN3B04N8TA
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZXMN3B04N8TA.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 7.2A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

2W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

ZXMN3B04N8TR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

33 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2480pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

23.1nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 7.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

7.2A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "ZXMN3B04N8TA".

ZXMN3A04KTC

La description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Fabricant: Diodes Incorporated

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