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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > EPC2012C
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EPC2012C

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Spécifications
  • Modèle de produit
    EPC2012C
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +6V, -4V
  • La technologie
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Package composant fournisseur
    Die Outline (4-Solder Bar)
  • Séries
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 3A, 5V
  • Dissipation de puissance (max)
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    Die
  • Autres noms
    917-1084-2
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    12 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    140pF @ 100V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    1.3nC @ 5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    200V
  • Description détaillée
    N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    5A (Ta)
EPC2012CENGR

EPC2012CENGR

La description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
En stock
EPC2007

EPC2007

La description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
En stock
EPC2014C

EPC2014C

La description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
En stock
EPC2001

EPC2001

La description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
En stock
EPC2010CENGR

EPC2010CENGR

La description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
En stock
EPC2016C

EPC2016C

La description: TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
En stock
EPC2014

EPC2014

La description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
En stock
EPC2019

EPC2019

La description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
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EPC1PI8

EPC1PI8

La description: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP

Fabricant: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
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EPC2018

EPC2018

La description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
En stock
EPC2010C

EPC2010C

La description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
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EPC2015C

EPC2015C

La description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
En stock
EPC2015

EPC2015

La description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
En stock
EPC2010

EPC2010

La description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
En stock
EPC2012

EPC2012

La description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
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EPC2016

EPC2016

La description: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
En stock
EPC2015CENGR

EPC2015CENGR

La description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
En stock
EPC2007C

EPC2007C

La description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
En stock
EPC2001C

EPC2001C

La description: TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE

Fabricant: EPC
En stock
EPC1PI8N

EPC1PI8N

La description: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP

Fabricant: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
En stock

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