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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IRFBC30APBF
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1653909IRFBC30APBF imageElectro-Films (EFI) / Vishay

IRFBC30APBF

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IRFBC30APBF
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220AB
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    74W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Autres noms
    *IRFBC30APBF
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    18 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    510pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    3.6A (Tc)
IRFBC30AL

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La description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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IRFBC20SPBF

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La description: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK

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IRFBC30ASTRLPBF

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La description: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

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IRFBC30ASTRR

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IRFBC30ASPBF

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IRFBC30S

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IRFBC30A

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IRFBC30LPBF

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IRFBC30PBF

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IRFBC30ASTRRPBF

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IRFBC20STRL

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La description: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK

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IRFBC30ASTRL

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IRFBC30ALPBF

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IRFBC30

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IRFBC30AS

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IRFBC20PBF

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IRFBC30L

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