Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IRFBE30PBF
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
5295482IRFBE30PBF imageElectro-Films (EFI) / Vishay

IRFBE30PBF

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$2.04
50+
$1.642
100+
$1.478
500+
$1.149
1000+
$0.952
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IRFBE30PBF
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.IRFBE30PBF.pdf
    2.IRFBE30PBF.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220AB
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    125W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Autres noms
    *IRFBE30PBF
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    18 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1300pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    78nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    800V
  • Description détaillée
    N-Channel 800V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    4.1A (Tc)

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IRFBE30PBF".
IRFBF20L

IRFBF20L

La description: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBF20PBF

IRFBF20PBF

La description: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBE20PBF

IRFBE20PBF

La description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBE20STRL

IRFBE20STRL

La description: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBE30STRLPBF

IRFBE30STRLPBF

La description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBE30L

IRFBE30L

La description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBE20L

IRFBE20L

La description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBF20S

IRFBF20S

La description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBE30STRR

IRFBE30STRR

La description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBE20S

IRFBE20S

La description: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBC40STRR

IRFBC40STRR

La description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBE20

IRFBE20

La description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBE30SPBF

IRFBE30SPBF

La description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBE30STRL

IRFBE30STRL

La description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBE30S

IRFBE30S

La description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBF20LPBF

IRFBF20LPBF

La description: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBE20STRR

IRFBE20STRR

La description: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBF20

IRFBF20

La description: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBE30

IRFBE30

La description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IRFBE30LPBF

IRFBE30LPBF

La description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.