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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI2356DS-T1-GE3
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SI2356DS-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI2356DS-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI2356DS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-236
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    51 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    960mW (Ta), 1.7W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Autres noms
    SI2356DS-T1-GE3TR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    370pF @ 20V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    2.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    40V
  • Description détaillée
    N-Channel 40V 4.3A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount TO-236
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    4.3A (Tc)

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Expédition
Paiement
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SI2341DS-T1-E3

SI2341DS-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI2372DS-T1-GE3

SI2372DS-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHAN 30V SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2366DS-T1-GE3

SI2366DS-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2392DS-T1-GE3

SI2392DS-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2371EDS-T1-GE3

SI2371EDS-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2343DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2341DS-T1-GE3

SI2341DS-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2367DS-T1-GE3

SI2367DS-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2351DS-T1-E3

SI2351DS-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2377EDS-T1-GE3

SI2377EDS-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2351DS-T1-GE3

SI2351DS-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2374DS-T1-GE3

SI2374DS-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHAN 20V SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2343DS-T1

SI2343DS-T1

La description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Fabricant: Vishay Siliconix
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