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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI4102DY-T1-E3
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SI4102DY-T1-E3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4102DY-T1-E3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI4102DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    158 mOhm @ 2.7A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    370pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    6V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 3.8A (Tc) 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    3.8A (Tc)

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Expédition
Paiement
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SI4062DY-T1-GE3

SI4062DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4112-D-GMR

SI4112-D-GMR

La description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4063-B1B-FMR

SI4063-B1B-FMR

La description: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4100DY-T1-E3

SI4100DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4108DY-T1-GE3

SI4108DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4063-C2A-GM

SI4063-C2A-GM

La description: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4063-C2A-GMR

SI4063-C2A-GMR

La description: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4112-BT

SI4112-BT

La description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4104DY-T1-E3

SI4104DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4063-B0B-FM

SI4063-B0B-FM

La description: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4112-D-GM

SI4112-D-GM

La description: IC SYNTHESIZER IF ONLY 28QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4112-BM

SI4112-BM

La description: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4063-B1B-FM

SI4063-B1B-FM

La description: TRANSMITTER RF EZRADIO PRO 20QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4110DY-T1-GE3

SI4110DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4103DY-T1-GE3

SI4103DY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4101DY-T1-GE3

SI4101DY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4104DY-T1-GE3

SI4104DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
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