Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI4122DY-T1-GE3
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
3979926

SI4122DY-T1-GE3

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
2500+
$0.971
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4122DY-T1-GE3
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5 mOhm @ 15A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    3W (Ta), 6W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    SI4122DY-T1-GE3TR
    SI4122DYT1GE3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    4200pF @ 20V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    40V
  • Description détaillée
    N-Channel 40V 27.2A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    27.2A (Tc)
SI4116DY-T1-GE3

SI4116DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4122M-EVB

SI4122M-EVB

La description: BOARD EVALUATION FOR SI4122

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4115G-BM

SI4115G-BM

La description: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4123-D-GMR

SI4123-D-GMR

La description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4123-D-GTR

SI4123-D-GTR

La description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4123-D-GT

SI4123-D-GT

La description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4123-D-GM

SI4123-D-GM

La description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 28QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4114GM-EVB

SI4114GM-EVB

La description: BOARD EVAL SI4114G-BM

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4116DY-T1-E3

SI4116DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4123-BM

SI4123-BM

La description: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4122-D-GT

SI4122-D-GT

La description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4122-EVB

SI4122-EVB

La description: BOARD EVALUATION FOR SI4122

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4122-D-GM

SI4122-D-GM

La description: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4123-EVB

SI4123-EVB

La description: BOARD EVALUATION FOR SI4123

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4123-BT

SI4123-BT

La description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4122-BT

SI4122-BT

La description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4123M-EVB

SI4123M-EVB

La description: BOARD EVALUATION FOR SI4123

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4122-D-GTR

SI4122-D-GTR

La description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4122-D-GMR

SI4122-D-GMR

La description: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4124DY-T1-E3

SI4124DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter