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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI4126DY-T1-GE3
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SI4126DY-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4126DY-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI4126DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.75 mOhm @ 15A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    SI4126DY-T1-GE3CT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    4405pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    105nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 39A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    39A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "SI4126DY-T1-GE3".
SI4123M-EVB

SI4123M-EVB

La description: BOARD EVALUATION FOR SI4123

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4126-F-BMR

SI4126-F-BMR

La description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4124DY-T1-GE3

SI4124DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4123-EVB

SI4123-EVB

La description: BOARD EVALUATION FOR SI4123

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4133-D-GTR

SI4133-D-GTR

La description: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4123-D-GTR

SI4123-D-GTR

La description: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4133-D-GT

SI4133-D-GT

La description: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4126-F-BM

SI4126-F-BM

La description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4126M-EVB

SI4126M-EVB

La description: BOARD EVALUATION FOR SI4126

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4133-D-GMR

SI4133-D-GMR

La description: IC SYNTHESIZER RF DUALBAND 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4126-BM

SI4126-BM

La description: IC SYNTHESIZER WLAN RF2/IF 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4128BDY-T1-GE3

SI4128BDY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4133-BT

SI4133-BT

La description: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4124DY-T1-E3

SI4124DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4133-D-GM

SI4133-D-GM

La description: IC SYNTHESIZER RF DUALBAND 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4126-F-GMR

SI4126-F-GMR

La description: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4133-EVB

SI4133-EVB

La description: BOARD EVALUATION FOR SI4133

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4126-F-GM

SI4126-F-GM

La description: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4128DY-T1-E3

SI4128DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4128DY-T1-GE3

SI4128DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
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