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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI4128DY-T1-GE3
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SI4128DY-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4128DY-T1-GE3
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2.4W (Ta), 5W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    SI4128DY-T1-GE3-ND
    SI4128DY-T1-GE3TR
    SI4128DYT1GE3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    27 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    435pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 10.9A (Ta) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    10.9A (Ta)
SI4133T-BM

SI4133T-BM

La description: IC RF SYNTHESIZER DUAL 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4126M-EVB

SI4126M-EVB

La description: BOARD EVALUATION FOR SI4126

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4126-F-BM

SI4126-F-BM

La description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4133-D-GT

SI4133-D-GT

La description: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4126DY-T1-GE3

SI4126DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4126-F-BMR

SI4126-F-BMR

La description: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4133GX2-BM

SI4133GX2-BM

La description: IC SYNTH DUAL GSM RF(RF1/RF2/IF)

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4133M-EVB

SI4133M-EVB

La description: BOARD EVALUATION FOR SI4133

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4126-F-GMR

SI4126-F-GMR

La description: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4133-BT

SI4133-BT

La description: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4126-F-GM

SI4126-F-GM

La description: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4133-D-GM

SI4133-D-GM

La description: IC SYNTHESIZER RF DUALBAND 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4128BDY-T1-GE3

SI4128BDY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4128DY-T1-E3

SI4128DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4133-D-GTR

SI4133-D-GTR

La description: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4133-EVB

SI4133-EVB

La description: BOARD EVALUATION FOR SI4133

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4126-BM

SI4126-BM

La description: IC SYNTHESIZER WLAN RF2/IF 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4133GX2M-EVB

SI4133GX2M-EVB

La description: BOARD EVAL DUAL-BAND GSM-HITACHI

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4124DY-T1-GE3

SI4124DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4133-D-GMR

SI4133-D-GMR

La description: IC SYNTHESIZER RF DUALBAND 28MLP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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