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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI4190DY-T1-GE3
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SI4190DY-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4190DY-T1-GE3
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.8 mOhm @ 15A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    SI4190DY-T1-GE3CT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2000pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    58nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 20A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    20A (Tc)
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4200-EVB

SI4200-EVB

La description: BOARD EVAL FOR SI4200

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4200-GM

SI4200-GM

La description: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4200DY-T1-GE3

SI4200DY-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4196DY-T1-E3

SI4196DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4204DY-T1-GE3

SI4204DY-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4201-GM

SI4201-GM

La description: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4196DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4201-BM

SI4201-BM

La description: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4200-BM

SI4200-BM

La description: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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