Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI4398DY-T1-GE3
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
3194662

SI4398DY-T1-GE3

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4398DY-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI4398DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8 mOhm @ 25A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    1.6W (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    5620pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 4.5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    N-Channel 20V 19A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    19A (Ta)

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "SI4398DY-T1-GE3".
SI4401BDY-T1-GE3

SI4401BDY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4401BDY-T1-E3

SI4401BDY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4398DY-T1-E3

SI4398DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4388DY-T1-E3

SI4388DY-T1-E3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4403BDY-T1-GE3

SI4403BDY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4403CDY-T1-GE3

SI4403CDY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4396DY-T1-E3

SI4396DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4396DY-T1-GE3

SI4396DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4386DY-T1-GE3

SI4386DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4401FDY-T1-GE3

SI4401FDY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CHAN 40V SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4388DY-T1-GE3

SI4388DY-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4390DY-T1-E3

SI4390DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4386DY-T1-E3

SI4386DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4401DDY-T1-GE3

SI4401DDY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4401DY-T1-E3

SI4401DY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4401DY-T1-GE3

SI4401DY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4403DDY-T1-GE3

SI4403DDY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4403BDY-T1-E3

SI4403BDY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4390DY-T1-GE3

SI4390DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4384DY-T1-GE3

SI4384DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.