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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI4435FDY-T1-GE3
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SI4435FDY-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4435FDY-T1-GE3
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SOIC
  • Séries
    TrenchFET® Gen III
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19 mOhm @ 9A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    4.8W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    SI4435FDY-T1-GE3CT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1500pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    P-Channel 30V 12.6A (Tc) 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    12.6A (Tc)
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

La description: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
SI4435DYTR

SI4435DYTR

La description: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4435DY

SI4435DY

La description: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4435DY

SI4435DY

La description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4438DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

La description: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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