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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI4434DY-T1-E3
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SI4434DY-T1-E3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4434DY-T1-E3
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    155 mOhm @ 3A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    1.56W (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    SI4434DY-T1-E3TR
    SI4434DYT1E3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    33 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    6V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    250V
  • Description détaillée
    N-Channel 250V 2.1A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    2.1A (Ta)
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

La description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4431-B1-FM

SI4431-B1-FM

La description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

La description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4431-B1-FMR

SI4431-B1-FMR

La description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4435DY

SI4435DY

La description: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

La description: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
SI4431BDY-T1-E3

SI4431BDY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4435DYTR

SI4435DYTR

La description: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
SI4435DY

SI4435DY

La description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4431BDY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4432-B1-FM

SI4432-B1-FM

La description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

La description: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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