Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI4451DY-T1-E3
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
5183383

SI4451DY-T1-E3

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
2500+
$1.428
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4451DY-T1-E3
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    800mV @ 850µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.25 mOhm @ 14A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    1.5W (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    33 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    120nC @ 4.5V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.8V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    12V
  • Description détaillée
    P-Channel 12V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    10A (Ta)
SI4455DY-T1-GE3

SI4455DY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4438DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4453DY-T1-GE3

SI4453DY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4448DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4455-C2A-GM

SI4455-C2A-GM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4455-C2A-GMR

SI4455-C2A-GMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4456DY-T1-E3

SI4456DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4448DY-T1-GE3

SI4448DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4455-B1A-FMR

SI4455-B1A-FMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
SI4455DY-T1-E3

SI4455DY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4453DY-T1-E3

SI4453DY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4451DY-T1-GE3

SI4451DY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4446DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4446DY-T1-E3

SI4446DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SI4455-B1A-FM

SI4455-B1A-FM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter