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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI4463BDY-T1-E3
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SI4463BDY-T1-E3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4463BDY-T1-E3
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 13.7A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    1.5W (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    SI4463BDY-T1-E3TR
    SI4463BDYT1E3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    33 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 4.5V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    2.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    P-Channel 20V 9.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    9.8A (Ta)
SI4464-B1B-FMR

SI4464-B1B-FMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4465ADY-T1-E3

SI4465ADY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4463-C2A-GMR

SI4463-C2A-GMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4461-C2A-GM

SI4461-C2A-GM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4464-B1X-FM

SI4464-B1X-FM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4465ADY-T1-GE3

SI4465ADY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4463BDY-T1-GE3

SI4463BDY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4463-B0B-FM

SI4463-B0B-FM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4461-C2A-GMR

SI4461-C2A-GMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4462DY-T1-E3

SI4462DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4463-B1B-FMR

SI4463-B1B-FMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4464-B1B-FM

SI4464-B1B-FM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4463-B1B-FM

SI4463-B1B-FM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4464DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4464DY-T1-E3

SI4464DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4463CDY-T1-GE3

SI4463CDY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CHAN 2.5V SO8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4462DY-T1-GE3

SI4462DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4466DY-T1-E3

SI4466DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4463-915-DK

SI4463-915-DK

La description: KIT DEV WIRELESS SI4463 915MHZ

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI4463-C2A-GM

SI4463-C2A-GM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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