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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI4465ADY-T1-GE3
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SI4465ADY-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4465ADY-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 8V 8SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI4465ADY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 14A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    3W (Ta), 6.5W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    SI4465ADY-T1-GE3CT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    33 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    85nC @ 4.5V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.8V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    8V
  • Description détaillée
    P-Channel 8V 3W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    -

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Expédition
Paiement
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SI4466DY-T1-E3

SI4466DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4463BDY-T1-GE3

SI4463BDY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4467-A2A-IMR

SI4467-A2A-IMR

La description: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4468-A2A-IMR

SI4468-A2A-IMR

La description: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4464DY-T1-E3

SI4464DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4466DY-T1-GE3

SI4466DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4470EY-T1-E3

SI4470EY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4472DY-T1-E3

SI4472DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4467-A2A-IM

SI4467-A2A-IM

La description: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4464DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4464-B1B-FM

SI4464-B1B-FM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4470EY-T1-GE3

SI4470EY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4463-C2A-GMR

SI4463-C2A-GMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4468-A2A-IM

SI4468-A2A-IM

La description: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4464-B1X-FM

SI4464-B1X-FM

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4463CDY-T1-GE3

SI4463CDY-T1-GE3

La description: MOSFET P-CHAN 2.5V SO8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4464-B1B-FMR

SI4464-B1B-FMR

La description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4472DY-T1-GE3

SI4472DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4465ADY-T1-E3

SI4465ADY-T1-E3

La description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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