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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI4682DY-T1-GE3
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SI4682DY-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4682DY-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI4682DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.4 mOhm @ 16A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1595pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 16A (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    16A (Tc)

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Expédition
Paiement
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SI4682DY-T1-E3

SI4682DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4682-A10-GDR

SI4682-A10-GDR

La description: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4685-A10-GMR

SI4685-A10-GMR

La description: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4683-A10-GMR

SI4683-A10-GMR

La description: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4684DY-T1-E3

SI4684DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4684-A10-GMR

SI4684-A10-GMR

La description: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4684-A10-GM

SI4684-A10-GM

La description: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4668DY-T1-GE3

SI4668DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4666DY-T1-GE3

SI4666DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4668DY-T1-E3

SI4668DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4683-A10-GM

SI4683-A10-GM

La description: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4685-A10-GM

SI4685-A10-GM

La description: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4682-A10-GMR

SI4682-A10-GMR

La description: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4670DY-T1-GE3

SI4670DY-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4686DY-T1-E3

SI4686DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4682-A10-GM

SI4682-A10-GM

La description: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4684DY-T1-GE3

SI4684DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4670DY-T1-E3

SI4670DY-T1-E3

La description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4684-A10-GDR

SI4684-A10-GDR

La description: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI4660DY-T1-GE3

SI4660DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
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