Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI4684DY-T1-E3
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
2026145

SI4684DY-T1-E3

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4684DY-T1-E3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI4684DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.4 mOhm @ 16A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2080pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 16A (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    16A (Tc)

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "SI4684DY-T1-E3".
SI4688-A10-GM

SI4688-A10-GM

La description: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4685-A10-GM

SI4685-A10-GM

La description: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4686DY-T1-E3

SI4686DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4684DY-T1-GE3

SI4684DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4684-A10-GM

SI4684-A10-GM

La description: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4682DY-T1-GE3

SI4682DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4683-A10-GM

SI4683-A10-GM

La description: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4686DY-T1-GE3

SI4686DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4688DY-T1-GE3

SI4688DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4684-A10-GMR

SI4684-A10-GMR

La description: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4682-A10-GM

SI4682-A10-GM

La description: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4683-A10-GMR

SI4683-A10-GMR

La description: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4685-A10-GMR

SI4685-A10-GMR

La description: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4688-A10-GDR

SI4688-A10-GDR

La description: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4684-A10-GDR

SI4684-A10-GDR

La description: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4682DY-T1-E3

SI4682DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4682-A10-GDR

SI4682-A10-GDR

La description: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4688DY-T1-E3

SI4688DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4688-A10-GMR

SI4688-A10-GMR

La description: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4682-A10-GMR

SI4682-A10-GMR

La description: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.