Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > SI4804BDY-T1-E3
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
7067233

SI4804BDY-T1-E3

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4804BDY-T1-E3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI4804BDY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Puissance - Max
    1.1W
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    SI4804BDY-T1-E3TR
    SI4804BDYT1E3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 4.5V
  • type de FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Fonction FET
    Logic Level Gate
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    5.7A
  • Numéro de pièce de base
    SI4804

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "SI4804BDY-T1-E3".
SI4804CDY-T1-GE3

SI4804CDY-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4778DY-T1-E3

SI4778DY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4812BDY-T1-E3

SI4812BDY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4774DY-T1-GE3

SI4774DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4791-3T1A-EVB

SI4791-3T1A-EVB

La description: EVAL BOARD SI4791

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4816BDY-T1-E3

SI4816BDY-T1-E3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4804BDY-T1-GE3

SI4804BDY-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4808DY-T1-GE3

SI4808DY-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4776DY-T1-GE3

SI4776DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4804CDY-T1-E3

SI4804CDY-T1-E3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4778DY-T1-GE3

SI4778DY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4777-A20-GMR

SI4777-A20-GMR

La description: IC RCVR AM/FM CE HD-RADIO TUNER

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4800BDY-T1-E3

SI4800BDY-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4777-A20-GM

SI4777-A20-GM

La description: IC RCVR AM/FM CE HD-RADIO TUNER

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SI4808DY-T1-E3

SI4808DY-T1-E3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4800BDY-T1-GE3

SI4800BDY-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SI4800,518

SI4800,518

La description: MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

Fabricant: NXP Semiconductors / Freescale
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.