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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > SI4936BDY-T1-GE3
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SI4936BDY-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI4936BDY-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI4936BDY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Package composant fournisseur
    8-SO
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 5.9A, 10V
  • Puissance - Max
    2.8W
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    SI4936BDY-T1-GE3DKR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    33 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    530pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • type de FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Fonction FET
    Logic Level Gate
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.8W Surface Mount 8-SO
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    6.9A
  • Numéro de pièce de base
    SI4936

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Paiement
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SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

La description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4943CDY-T1-E3

SI4943CDY-T1-E3

La description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4940DY-T1-GE3

SI4940DY-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3

La description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4933DY-T1-GE3

SI4933DY-T1-GE3

La description: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

La description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4943BDY-T1-E3

SI4943BDY-T1-E3

La description: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3

La description: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4942DY-T1-E3

SI4942DY-T1-E3

La description: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SI4943BDY-T1-GE3

SI4943BDY-T1-GE3

La description: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4940DY-T1-E3

SI4940DY-T1-E3

La description: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4936ADY-T1-E3

SI4936ADY-T1-E3

La description: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

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SI4936CDY-T1-E3

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La description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO

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SI4941EDY-T1-E3

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La description: MOSFET 2P-CH 30V 10A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4925BDY-T1-GE3

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La description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4942DY-T1-GE3

SI4942DY-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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