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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SI8821EDB-T2-E1
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3931727SI8821EDB-T2-E1 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SI8821EDB-T2-E1

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI8821EDB-T2-E1
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI8821EDB-T2-E1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    4-Microfoot
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    135 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    500mW (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    4-XFBGA, CSPBGA
  • Autres noms
    SI8821EDB-T2-E1TR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    46 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    440pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    2.5V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    P-Channel 30V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    -

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SI88221BC-IS

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La description: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI88220EC-IS

SI88220EC-IS

La description: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SI8806DB-T2-E1

SI8806DB-T2-E1

La description: MOSFET N-CH 12V MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI88221BC-ISR

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La description: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI8816EDB-T2-E1

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La description: MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI8802DB-T2-E1

SI8802DB-T2-E1

La description: MOSFET N-CH 8V MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI88220BC-IS

SI88220BC-IS

La description: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI88222BC-ISR

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La description: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI88222BC-IS

SI88222BC-IS

La description: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI8810EDB-T2-E1

SI8810EDB-T2-E1

La description: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI88220EC-ISR

SI88220EC-ISR

La description: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI8809EDB-T2-E1

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La description: MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI8808DB-T2-E1

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La description: MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI88220BC-ISR

SI88220BC-ISR

La description: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI88221EC-IS

SI88221EC-IS

La description: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI88221EC-ISR

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La description: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI8812DB-T2-E1

SI8812DB-T2-E1

La description: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI8805EDB-T2-E1

SI8805EDB-T2-E1

La description: MOSFET P-CH 8V MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI8819EDB-T2-E1

SI8819EDB-T2-E1

La description: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI8817DB-T2-E1

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La description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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