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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SIE860DF-T1-GE3
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2213395SIE860DF-T1-GE3 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SIE860DF-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SIE860DF-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SIE860DF-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    10-PolarPAK® (M)
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.1 mOhm @ 21.7A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    5.2W (Ta), 104W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    10-PolarPAK® (M)
  • Autres noms
    SIE860DF-T1-GE3TR
    SIE860DFT1GE3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    4500pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    105nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (M)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    60A (Tc)

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Paiement
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SIE860DF-T1-E3

SIE860DF-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIE830DF-T1-GE3

SIE830DF-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIE864DF-T1-GE3

SIE864DF-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIE868DF-T1-GE3

SIE868DF-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIE874DF-T1-GE3

SIE874DF-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIE882DF-T1-GE3

SIE882DF-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK

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SIE832DF-T1-GE3

SIE832DF-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIE876DF-T1-GE3

SIE876DF-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIE844DF-T1-GE3

SIE844DF-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIE848DF-T1-E3

SIE848DF-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

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SIE854DF-T1-E3

SIE854DF-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIE862DF-T1-GE3

SIE862DF-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIE848DF-T1-GE3

SIE848DF-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIE832DF-T1-E3

SIE832DF-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIE836DF-T1-GE3

SIE836DF-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

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SIE844DF-T1-E3

SIE844DF-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK

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SIE830DF-T1-E3

SIE830DF-T1-E3

La description: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK

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SIE836DF-T1-E3

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La description: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIE854DF-T1-GE3

SIE854DF-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIE878DF-T1-GE3

SIE878DF-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 25V 45A POLARPAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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