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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SIS606BDN-T1-GE3
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2631834SIS606BDN-T1-GE3 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SIS606BDN-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SIS606BDN-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SIS606BDN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PowerPAK® 1212-8
  • Séries
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17.4 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    PowerPAK® 1212-8
  • Autres noms
    SIS606BDN-T1-GE3TR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1470pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    7.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 9.4A (Ta), 35.3A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    9.4A (Ta), 35.3A (Tc)

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Paiement
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SIS456DN-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SIS698DN-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SIS472ADN-T1-GE3

SIS472ADN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 24A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SIS5102QP2HT1G

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La description: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
SIS626DN-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS496EDNT-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SIS478DN-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS476DN-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
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La description: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
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La description: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS472DN-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
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La description: MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS888DN-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS468DN-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS862DN-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS782DN-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SIS778DN-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SIS5102QP1HT1G

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La description: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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SIS776DN-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
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