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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SISA26DN-T1-GE3
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5661712SISA26DN-T1-GE3 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SISA26DN-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SISA26DN-T1-GE3
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +16V, -12V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Séries
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.65 mOhm @ 15A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    39W (Tc)
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    PowerPAK® 1212-8S
  • Autres noms
    SISA26DN-T1-GE3DKR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2247pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    25V
  • Description détaillée
    N-Channel 25V 60A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    60A (Tc)
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

La description: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

La description: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

La description: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

La description: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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