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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SISA66DN-T1-GE3
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3797592SISA66DN-T1-GE3 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SISA66DN-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SISA66DN-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
  • État sans plomb / État RoHS
  • Livret des spécifications
    SISA66DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PowerPAK® 1212-8
  • Séries
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3 mOhm @ 15A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    52W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    PowerPAK® 1212-8
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    3014pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    66nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    40A (Tc)

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Expédition
Paiement
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SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

La description: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

La description: SMALL SIGNAL+P-CH

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
SISC262SN06LX1SA1

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La description: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
SISC050N10DX1SA1

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La description: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

La description: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

La description: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

La description: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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