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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SISH402DN-T1-GE3
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6865388SISH402DN-T1-GE3 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SISH402DN-T1-GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SISH402DN-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SISH402DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PowerPAK® 1212-8SH
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6 mOhm @ 19A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    PowerPAK® 1212-8SH
  • Autres noms
    SISH402DN-T1-GE3TR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    27 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1700pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 19A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    19A (Ta), 35A (Tc)

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Expédition
Paiement
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SISH129DN-T1-GE3

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La description: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

La description: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
SISH617DN-T1-GE3

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La description: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

La description: SMALL SIGNAL+P-CH

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
SISS12DN-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISC06DN-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CH 30V

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISH434DN-T1-GE3

SISH434DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISC050N10DX1SA1

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La description: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
SISF00DN-T1-GE3

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La description: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SISC097N24DX1SA1

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La description: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
SISNAP915EK

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La description: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SISH106DN-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISS04DN-T1-GE3

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La description: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SISNAP915DK

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La description: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
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RFQ
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

La description: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
SISC262SN06LX1SA1

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La description: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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