Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SISS23DN-T1-GE3
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
4170399SISS23DN-T1-GE3 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SISS23DN-T1-GE3

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$1.04
10+
$0.907
100+
$0.699
500+
$0.518
1000+
$0.414
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    SISS23DN-T1-GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SISS23DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Séries
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5 mOhm @ 20A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    4.8W (Ta), 57W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    8-PowerVDFN
  • Autres noms
    SISS23DN-T1-GE3CT
  • Température de fonctionnement
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    8840pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.8V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    P-Channel 20V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    50A (Tc)

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "SISS23DN-T1-GE3".
SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISS40DN-T1-GE3

SISS40DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISS67DN-T1-GE3

SISS67DN-T1-GE3

La description: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISS70DN-T1-GE3

SISS70DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 125V

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISNAP915DK

SISNAP915DK

La description: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

La description: MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISH434DN-T1-GE3

SISH434DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISNAP915EK

SISNAP915EK

La description: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

Fabricant: Energy Micro (Silicon Labs)
En stock
RFQ
SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

La description: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISS42DN-T1-GE3

SISS42DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

La description: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

La description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.