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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > SQM120N10-3M8_GE3
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2568764SQM120N10-3M8_GE3 imageElectro-Films (EFI) / Vishay

SQM120N10-3M8_GE3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SQM120N10-3M8_GE3
  • Fabricant / marque
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 100V 120A TO263
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SQM120N10-3M8_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-263 (D²Pak)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    375W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    SQM120N10-3M8_GE3TR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    7230pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    190nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    120A (Tc)

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Expédition
Paiement
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SQM200JB-0R1

SQM200JB-0R1

La description: RES WW 2W 5% TH

Fabricant: Yageo
En stock
RFQ
SQM200JB-0R16

SQM200JB-0R16

La description: RES WW 2W 5% TH

Fabricant: Yageo
En stock
RFQ
SQM120N06-06_GE3

SQM120N06-06_GE3

La description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SQM120N04-1M7L_GE3

SQM120N04-1M7L_GE3

La description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SQM110P06-8M9L_GE3

SQM110P06-8M9L_GE3

La description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SQM200JB-0R12

SQM200JB-0R12

La description: RES WW 2W 5% TH

Fabricant: Yageo
En stock
RFQ
SQM120N02-1M3L_GE3

SQM120N02-1M3L_GE3

La description: MOSFET N-CH 20V 120A TO263

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SQM120P04-04L_GE3

SQM120P04-04L_GE3

La description: MOSFET P-CH 40V 120A TO-263

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SQM200JB-0R13

SQM200JB-0R13

La description: RES WW 2W 5% TH

Fabricant: Yageo
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RFQ
SQM120N10-09_GE3

SQM120N10-09_GE3

La description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SQM120N04-1M4L_GE3

SQM120N04-1M4L_GE3

La description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SQM120N04-1M9_GE3

SQM120N04-1M9_GE3

La description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
SQM120P10_10M1LGE3

SQM120P10_10M1LGE3

La description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SQM200JB-0R11

SQM200JB-0R11

La description: RES WW 2W 5% TH

Fabricant: Yageo
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RFQ
SQM120N04-1M7_GE3

SQM120N04-1M7_GE3

La description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SQM120N06-3M5L_GE3

SQM120N06-3M5L_GE3

La description: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SQM200JB-0R18

SQM200JB-0R18

La description: RES WW 2W 5% TH

Fabricant: Yageo
En stock
RFQ
SQM120N03-1M5L_GE3

SQM120N03-1M5L_GE3

La description: MOSFET N-CH 30V 120A TO-263

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
SQM200JB-0R15

SQM200JB-0R15

La description: RES WW 2W 5% TH

Fabricant: Yageo
En stock
RFQ
SQM120P06-07L_GE3

SQM120P06-07L_GE3

La description: MOSFET P-CH 60V 120A TO263

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
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