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Accueil > Centre des produits > Isolateurs > Isolateurs - Gate pilotes > SI8261BAD-C-IMR
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895676SI8261BAD-C-IMR imageEnergy Micro (Silicon Labs)

SI8261BAD-C-IMR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    SI8261BAD-C-IMR
  • Fabricant / marque
    Energy Micro (Silicon Labs)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    SI8261BAD-C-IMR.pdf
  • Tension - Alimentation
    6.5 V ~ 30 V
  • Tension - Isolement
    5000Vrms
  • Tension - Forward (Vf) (Typ)
    2.8V (Max)
  • La technologie
    Capacitive Coupling
  • Package composant fournisseur
    8-LGA (10x12.5)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q100
  • Rise / Fall Time (Typ)
    5.5ns, 8.5ns
  • Distorsion de largeur d'impulsion (Max)
    28ns
  • Délai de propagation tpLH / tpHL (Max)
    60ns, 50ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-VELGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 125°C
  • Nombre de canaux
    1
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 8-LGA (10x12.5)
  • Courant - Sortie crête
    4A
  • Courant - Sortie Haut, Bas
    500mA, 1.2A
  • Courant - DC Forward (If) (Max)
    30mA
  • Immunité transitoire au mode commun (min.)
    35kV/µs
  • Agréments
    CQC, CSA, UR, VDE

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SI8261BAA-C-ISR

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SI8261BBD-C-IMR

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