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64487771N8026-GA imageGeneSiC Semiconductor

1N8026-GA

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Spécifications
  • Modèle de produit
    1N8026-GA
  • Fabricant / marque
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    1N8026-GA.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.6V @ 2.5A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    1200V
  • Package composant fournisseur
    TO-257
  • La vitesse
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    0ns
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-257-3
  • Autres noms
    1242-1113
    1N8026GA
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 250°C
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    18 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Type de diode
    Silicon Carbide Schottky
  • Description détaillée
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 8A (DC) Through Hole TO-257
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 1200V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    8A (DC)
  • Capacité à Vr, F
    237pF @ 1V, 1MHz
  • Numéro de pièce de base
    1N8026

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "1N8026-GA".
1N821AUR-1

1N821AUR-1

La description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N821A

1N821A

La description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N821-1

1N821-1

La description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N8032-GA

1N8032-GA

La description: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
1N821UR-1

1N821UR-1

La description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N8031-GA

1N8031-GA

La description: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
1N8024-GA

1N8024-GA

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
1N8149

1N8149

La description: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N8030-GA

1N8030-GA

La description: DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

La description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N8034-GA

1N8034-GA

La description: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
1N8033-GA

1N8033-GA

La description: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
1N821AUR

1N821AUR

La description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N8035-GA

1N8035-GA

La description: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
1N822

1N822

La description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N8028-GA

1N8028-GA

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
1N8165US

1N8165US

La description: TVS DIODE 33V 53.6V

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N821

1N821

La description: DIODE ZENER DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N821A, SEL. 1% VBR

1N821A, SEL. 1% VBR

La description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N8182

1N8182

La description: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
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