Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > 1N8033-GA
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
23389361N8033-GA imageGeneSiC Semiconductor

1N8033-GA

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$193.31
10+
$183.982
25+
$177.316
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    1N8033-GA
  • Fabricant / marque
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1N8033-GA.pdf
  • Tension - Inverse de crête (max)
    Silicon Carbide Schottky
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    4.3A (DC)
  • Tension - Ventilation
    TO-276
  • Séries
    -
  • État RoHS
    Tube
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Résistance @ Si, F
    274pF @ 1V, 1MHz
  • Polarisation
    TO-276AA
  • Autres noms
    1242-1120
    1N8033GA
  • Température d'utilisation - Jonction
    0ns
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    18 Weeks
  • Référence fabricant
    1N8033-GA
  • Description élargie
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4.3A (DC) Surface Mount TO-276
  • Configuration diode
    5µA @ 650V
  • La description
    DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    1.65V @ 5A
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    650V
  • Capacité à Vr, F
    -55°C ~ 250°C

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "1N8033-GA".
1N821AUR-1

1N821AUR-1

La description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N8035-GA

1N8035-GA

La description: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
1N822

1N822

La description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N8165US

1N8165US

La description: TVS DIODE 33V 53.6V

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N821A

1N821A

La description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

La description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N821A, SEL. 1% VBR

1N821A, SEL. 1% VBR

La description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N8182

1N8182

La description: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N8031-GA

1N8031-GA

La description: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
1N8024-GA

1N8024-GA

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
1N821AUR

1N821AUR

La description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N8026-GA

1N8026-GA

La description: DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
1N8030-GA

1N8030-GA

La description: DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
1N8034-GA

1N8034-GA

La description: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
1N821-1

1N821-1

La description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N8028-GA

1N8028-GA

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
1N821UR-1

1N821UR-1

La description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N8149

1N8149

La description: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
1N8032-GA

1N8032-GA

La description: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
1N821

1N821

La description: DIODE ZENER DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.