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194964MURTA20060 imageGeneSiC Semiconductor

MURTA20060

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MURTA20060
  • Fabricant / marque
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MURTA20060.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.7V @ 100A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    600V
  • Package composant fournisseur
    Three Tower
  • La vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    Three Tower
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Chassis Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    4 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Configuration diode
    1 Pair Common Cathode
  • Description détaillée
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 100A Chassis Mount Three Tower
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    25µA @ 600V
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    100A

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Expédition
Paiement
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MURTA20020R

MURTA20020R

La description: DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
MURTA20060R

MURTA20060R

La description: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
MURTA300120

MURTA300120

La description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
MURTA30040

MURTA30040

La description: DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
MURTA20040

MURTA20040

La description: DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
MURTA30020

MURTA30020

La description: DIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
MURT40060R

MURT40060R

La description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
MURTA300120R

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La description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
MURTA20020

MURTA20020

La description: DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
MURTA30040R

MURTA30040R

La description: DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
MURTA30060

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La description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
MURTA200120R

MURTA200120R

La description: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
MURTA400120

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La description: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
MURTA30020R

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La description: DIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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MURT40040R

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La description: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
MURTA30060R

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La description: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
MURTA20040R

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La description: DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
MURT40060

MURT40060

La description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
MURT40040

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La description: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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MURTA200120

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RFQ
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