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1098056MURTA500120R imageGeneSiC Semiconductor

MURTA500120R

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MURTA500120R
  • Fabricant / marque
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MURTA500120R.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    2.6V @ 250A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    1200V
  • Package composant fournisseur
    Three Tower
  • La vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    Three Tower
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Chassis Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    4 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Configuration diode
    1 Pair Common Anode
  • Description détaillée
    Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 250A Chassis Mount Three Tower
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    25µA @ 1200V
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    250A

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MURTA40020

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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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MURTA50040

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MURTA40020R

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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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MURTA50040R

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MURTA600120R

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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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MURTA400120

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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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MURTA40060

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MURTA50060

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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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MURTA500120

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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
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MURTA30060R

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MURTA400120R

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MURTA40040

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