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5770338MURTA60020R imageGeneSiC Semiconductor

MURTA60020R

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MURTA60020R
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE MODULE 200V 600A 3TOWER
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.3V @ 300A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    200V
  • Package composant fournisseur
    Three Tower
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    200ns
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    Three Tower
  • Autres noms
    MURTA60020RGN
  • Type de montage
    Chassis Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    4 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Configuration diode
    1 Pair Common Anode
  • Description détaillée
    Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 200V 600A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    25µA @ 50V
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    600A (DC)
MURTA40040

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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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La description: DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

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