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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > S12J
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S12J

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Spécifications
  • Modèle de produit
    S12J
  • Fabricant / marque
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.S12J.pdf
    2.S12J.pdf
  • Tension - Inverse de crête (max)
    Standard
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    12A
  • Tension - Ventilation
    DO-4
  • Séries
    -
  • État RoHS
    Bulk
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Résistance @ Si, F
    -
  • Polarisation
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Autres noms
    S12JGN
  • Type de montage
    Chassis, Stud Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Référence fabricant
    S12J
  • Description élargie
    Diode Standard 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Configuration diode
    10µA @ 50V
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    1.1V @ 12A
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    600V
  • Capacité à Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Expédition
Paiement
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S12JCHM6G

S12JCHM6G

La description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
S12GC R7G

S12GC R7G

La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
S12DR

S12DR

La description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
S12JC M6G

S12JC M6G

La description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
S12GCHR7G

S12GCHR7G

La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
S12JC V7G

S12JC V7G

La description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
S12G

S12G

La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
S12JC R7G

S12JC R7G

La description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
S12K

S12K

La description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
S12GC V6G

S12GC V6G

La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
S12KC R7G

S12KC R7G

La description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
S12GR

S12GR

La description: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
S12GCHM6G

S12GCHM6G

La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
S12JR

S12JR

La description: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
S12D

S12D

La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
S12KC M6G

S12KC M6G

La description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
S12JC V6G

S12JC V6G

La description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
S12GC V7G

S12GC V7G

La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
S12JCHR7G

S12JCHR7G

La description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
S12GC M6G

S12GC M6G

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Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
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