Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > S12DR
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
3282990

S12DR

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
100+
$4.369
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    S12DR
  • Fabricant / marque
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.S12DR.pdf
    2.S12DR.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Inverse de crête (max)
    Standard, Reverse Polarity
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    12A
  • Tension - Ventilation
    DO-4
  • Séries
    -
  • État RoHS
    Bulk
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Résistance @ Si, F
    -
  • Polarisation
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Autres noms
    S12DRGN
  • Type de montage
    Chassis, Stud Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Référence fabricant
    S12DR
  • Description élargie
    Diode Standard, Reverse Polarity 200V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Configuration diode
    10µA @ 50V
  • La description
    DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    1.1V @ 12A
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    200V
  • Capacité à Vr, F
    -65°C ~ 175°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip annonce 500 licenciements, avec des coûts de res...

2024/12/4

Quanta: La demande d'IA continue d'être forte, ave...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung réduit considérablement l'utilisation de la p...

2024/12/2

Vishay investira 51 millions de livres sterling dans le NWF...

2024/11/29

La menace tarifaire de Trump, Nvidia, les fournisseurs d...

2024/11/28

Intel recevra 7,86 milliards de dollars de subventions en v...

2024/11/27
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "S12DR".
S12B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)

S12B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)

La description: CONN HEADER ZH SMT 12POS 1.5MM

Fabricant: JST
En stock
RFQ
S12D

S12D

La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
S12GR

S12GR

La description: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
S12B-ZR-SM3A-TF

S12B-ZR-SM3A-TF

La description: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Fabricant: JST
En stock
RFQ
S12GC V6G

S12GC V6G

La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
S12B-XASK-1(LF)(SN)

S12B-XASK-1(LF)(SN)

La description: XA HEADER (SIDE)

Fabricant: JST
En stock
RFQ
S12G

S12G

La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
S12GC V7G

S12GC V7G

La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
S12B-XH-A(LF)(SN)

S12B-XH-A(LF)(SN)

La description: CONN HEADER XH SIDE 12POS 2.5MM

Fabricant: JST
En stock
RFQ
S12GC M6G

S12GC M6G

La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
S12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

S12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

La description: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Fabricant: JST
En stock
RFQ
S12BR

S12BR

La description: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
S12GCHM6G

S12GCHM6G

La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
S12J

S12J

La description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Fabricant: GeneSiC Semiconductor
En stock
RFQ
S12B-ZR

S12B-ZR

La description: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Fabricant: JST
En stock
RFQ
S12GCHR7G

S12GCHR7G

La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
S12B-XADSS-N(LF)(SN)

S12B-XADSS-N(LF)(SN)

La description: CONN HDR XAD 12POS 2.5MM TIN SE

Fabricant: JST
En stock
RFQ
S12GC R7G

S12GC R7G

La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
S12B-ZR(LF)(SN)

S12B-ZR(LF)(SN)

La description: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Fabricant: JST
En stock
RFQ
S12JC M6G

S12JC M6G

La description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousNouvellesSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.