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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > GP1M008A050CG

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GP1M008A050CG

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Spécifications

Modèle de produit

GP1M008A050CG
Fabricant / marque

SemiQ
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

GP1M008A050CG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D-Pak
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

850 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

120W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

1560-1167-2
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

937pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

500V
Description détaillée

N-Channel 500V 8A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8A (Tc)

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Mode de paiement

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Expédition

Paiement

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La description: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

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La description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

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