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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > GP1M016A025FG

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Global Power Technologies Group

GP1M016A025FG

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Modèle de produit

GP1M016A025FG
Fabricant / marque

SemiQ
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 250V 16A TO220F
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

GP1M016A025FG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220F
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 8A, 10V
Dissipation de puissance (max)

30.4W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack
Autres noms

1560-1184-1
1560-1184-1-ND
1560-1184-5
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

944pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

250V
Description détaillée

N-Channel 250V 16A (Tc) 30.4W (Tc) Through Hole TO-220F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

16A (Tc)

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