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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > GP1M018A020FG
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5669062GP1M018A020FG imageGlobal Power Technologies Group

GP1M018A020FG

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Spécifications
  • Modèle de produit
    GP1M018A020FG
  • Fabricant / marque
    SemiQ
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    GP1M018A020FG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220F
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    170 mOhm @ 9A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    30.4W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-220-3 Full Pack
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    950pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    200V
  • Description détaillée
    N-Channel 200V 18A (Tc) 30.4W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    18A (Tc)

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Expédition
Paiement
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GP1M016A060H

GP1M016A060H

La description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M018A020PG

GP1M018A020PG

La description: MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1S036HEZ

GP1S036HEZ

La description: SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP1M020A060N

GP1M020A060N

La description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M016A060F

GP1M016A060F

La description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M015A050H

GP1M015A050H

La description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M020A060M

GP1M020A060M

La description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M016A025FG

GP1M016A025FG

La description: MOSFET N-CH 250V 16A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M016A025CG

GP1M016A025CG

La description: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M023A050N

GP1M023A050N

La description: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M018A020HG

GP1M018A020HG

La description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M018A020CG

GP1M018A020CG

La description: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M016A060N

GP1M016A060N

La description: MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1S093HCZ

GP1S093HCZ

La description: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP1S092HCPI

GP1S092HCPI

La description: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM SMD

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP1M016A060FH

GP1M016A060FH

La description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M016A025PG

GP1M016A025PG

La description: MOSFET N-CH 250V 16A IPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1S092HCPIF

GP1S092HCPIF

La description: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS SMD

Fabricant: Socle Technology Corporation
En stock
RFQ
GP1M020A050N

GP1M020A050N

La description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP1M016A025HG

GP1M016A025HG

La description: MOSFET N-CH 250V 16A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
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