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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > GP2M002A060PG
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6263831GP2M002A060PG imageGlobal Power Technologies Group

GP2M002A060PG

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Spécifications
  • Modèle de produit
    GP2M002A060PG
  • Fabricant / marque
    SemiQ
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 600V 2A
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    GP2M002A060PG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    I-PAK
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4 Ohm @ 1A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    52.1W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    360pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    9nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 2A (Tc) 52.1W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    2A (Tc)

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Expédition
Paiement
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GP2M002A065CG

GP2M002A065CG

La description: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG

La description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2L24BCJ00F

GP2L24BCJ00F

La description: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2M004A060PG

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La description: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2L24CJ00F

GP2L24CJ00F

La description: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2M002A065FG

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La description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M002A060CG

GP2M002A060CG

La description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M004A060FG

GP2M004A060FG

La description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M004A060CG

GP2M004A060CG

La description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2L24

GP2L24

La description: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2L24J0000F

GP2L24J0000F

La description: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .7MM PCB

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2M004A065FG

GP2M004A065FG

La description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M002A060HG

GP2M002A060HG

La description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP2L24BJ00F

GP2L24BJ00F

La description: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2M002A060FG

GP2M002A060FG

La description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP2M004A065CG

GP2M004A065CG

La description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP2M002A065PG

GP2M002A065PG

La description: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP2L24ABJ00F

GP2L24ABJ00F

La description: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Fabricant: Sharp Microelectronics
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RFQ
GP2M004A060HG

GP2M004A060HG

La description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GP2L26

GP2L26

La description: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

Fabricant: Sharp Microelectronics
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RFQ
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