Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > GP2M002A065PG
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
1151322GP2M002A065PG imageGlobal Power Technologies Group

GP2M002A065PG

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    GP2M002A065PG
  • Fabricant / marque
    SemiQ
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    GP2M002A065PG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    I-PAK
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6 Ohm @ 900mA, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    52W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    353pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    8.5nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    650V
  • Description détaillée
    N-Channel 650V 1.8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    1.8A (Tc)

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "GP2M002A065PG".
GP2M004A060FG

GP2M004A060FG

La description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M004A060CG

GP2M004A060CG

La description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M004A060HG

GP2M004A060HG

La description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M005A050FG

GP2M005A050FG

La description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

La description: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M002A060PG

GP2M002A060PG

La description: MOSFET N-CH 600V 2A

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M004A065CG

GP2M004A065CG

La description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M002A060CG

GP2M002A060CG

La description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M004A065HG

GP2M004A065HG

La description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M002A060HG

GP2M002A060HG

La description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M004A065PG

GP2M004A065PG

La description: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M002A065FG

GP2M002A065FG

La description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2L26

GP2L26

La description: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2L24CJ00F

GP2L24CJ00F

La description: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2L24J0000F

GP2L24J0000F

La description: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .7MM PCB

Fabricant: Sharp Microelectronics
En stock
RFQ
GP2M002A065CG

GP2M002A065CG

La description: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG

La description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M004A065FG

GP2M004A065FG

La description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M002A060FG

GP2M002A060FG

La description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GP2M005A050CG

GP2M005A050CG

La description: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.