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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > GPA040A120L-ND
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2268287GPA040A120L-ND imageGlobal Power Technologies Group

GPA040A120L-ND

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Spécifications
  • Modèle de produit
    GPA040A120L-ND
  • Fabricant / marque
    SemiQ
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT 1200V 80A 455W TO264
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    GPA040A120L-ND.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    1200V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 40A
  • Condition de test
    600V, 40A, 5 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    41ns/200ns
  • énergie de commutation
    5.8mJ (on), 1.5mJ (off)
  • Package composant fournisseur
    TO-264
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    220ns
  • Puissance - Max
    455W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-264-3, TO-264AA
  • Autres noms
    1560-1223-1
    1560-1223-1-ND
    1560-1223-5
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    NPT and Trench
  • gate charge
    510nC
  • Description détaillée
    IGBT NPT and Trench 1200V 80A 455W Through Hole TO-264
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    120A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    80A

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "GPA040A120L-ND".
GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD

La description: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

La description: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

La description: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Fabricant: Bergquist
En stock
RFQ
GPA802 C0G

GPA802 C0G

La description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

La description: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GPA802HC0G

GPA802HC0G

La description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
GPA801HC0G

GPA801HC0G

La description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
GPA025A120MN-ND

GPA025A120MN-ND

La description: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

La description: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GPA801 C0G

GPA801 C0G

La description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

La description: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
RFQ
GPA020A135MN-FD

GPA020A135MN-FD

La description: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

La description: DIODE GPP 8A D2PAK

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
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RFQ
GPA802-BP

GPA802-BP

La description: DIODE GPP 8A TO220AC

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
RFQ
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

La description: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GPA030A120I-FD

GPA030A120I-FD

La description: IGBT 1200V 60A 329W TO247

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

La description: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GPA015A120MN-ND

GPA015A120MN-ND

La description: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
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RFQ
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

La description: DIODE GPP 8A D2PAK

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
RFQ
GPA801-BP

GPA801-BP

La description: DIODE GPP 8A TO220AC

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
RFQ
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