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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > GPA801DT-TP
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1598080GPA801DT-TP imageMicro Commercial Components (MCC)

GPA801DT-TP

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Spécifications
  • Modèle de produit
    GPA801DT-TP
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GPP 8A D2PAK
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.1V @ 8A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    50V
  • Package composant fournisseur
    D2PAK
  • La vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Température d'utilisation - Jonction
    -65°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 50V 8A Surface Mount D2PAK
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 50V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    8A
  • Capacité à Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz
GPA802HC0G

GPA802HC0G

La description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
GPA803DT-TP

GPA803DT-TP

La description: DIODE GPP 8A D2PAK

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

La description: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

La description: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
GPA801HC0G

GPA801HC0G

La description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

La description: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

La description: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

La description: IGBT 1200V 80A 455W TO264

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
GPA803 C0G

GPA803 C0G

La description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
GPA804 C0G

GPA804 C0G

La description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
GPA801-BP

GPA801-BP

La description: DIODE GPP 8A TO220AC

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

La description: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Fabricant: Bergquist
En stock
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

La description: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
GPA802-BP

GPA802-BP

La description: DIODE GPP 8A TO220AC

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

La description: DIODE GPP 8A D2PAK

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
GPA803-BP

GPA803-BP

La description: DIODE GPP 8A TO220AC

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

La description: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Fabricant: Global Power Technologies Group
En stock
GPA801 C0G

GPA801 C0G

La description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
GPA802 C0G

GPA802 C0G

La description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
GPA803HC0G

GPA803HC0G

La description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock

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