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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > 70V3579S6DR
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429835670V3579S6DR imageIDT (Integrated Device Technology)

70V3579S6DR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    70V3579S6DR
  • Fabricant / marque
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    1.70V3579S6DR.pdf
    2.70V3579S6DR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    3.15 V ~ 3.45 V
  • La technologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Package composant fournisseur
    208-PQFP (28x28)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    208-BFQFP
  • Autres noms
    IDT70V3579S6DR
    IDT70V3579S6DR-ND
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    1.125Mb (32K x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 6ns 208-PQFP (28x28)
  • Numéro de pièce de base
    IDT70V3579
  • Temps d'accès
    6ns

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Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "70V3579S6DR".
70V3589S133BCI8

70V3589S133BCI8

La description: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
En stock
RFQ
70V3589S133DRG

70V3589S133DRG

La description: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
En stock
RFQ
70V3579S6BF

70V3579S6BF

La description: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
En stock
RFQ
70V3579S6BCI8

70V3579S6BCI8

La description: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
En stock
RFQ
70V3589S133BF

70V3589S133BF

La description: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
En stock
RFQ
70V3579S5DRI

70V3579S5DRI

La description: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
En stock
RFQ
70V3579S6BF8

70V3579S6BF8

La description: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3589S133BFI

70V3589S133BFI

La description: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3579S6BCI

70V3579S6BCI

La description: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3579S5BFI

70V3579S5BFI

La description: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
En stock
RFQ
70V3579S6BC8

70V3579S6BC8

La description: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3589S133DR

70V3589S133DR

La description: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3589S133BF8

70V3589S133BF8

La description: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3579S6BC

70V3579S6BC

La description: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3579S5DR

70V3579S5DR

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RFQ
70V3579S5BFI8

70V3579S5BFI8

La description: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3589S133BC

70V3589S133BC

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70V3589S133BFI8

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70V3589S133BCI

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RFQ
70V3589S133BC8

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