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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > 70V3589S133BF8
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636628970V3589S133BF8 imageIDT (Integrated Device Technology)

70V3589S133BF8

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Spécifications
  • Modèle de produit
    70V3589S133BF8
  • Fabricant / marque
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    1.70V3589S133BF8.pdf
    2.70V3589S133BF8.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    3.15 V ~ 3.45 V
  • La technologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Package composant fournisseur
    208-CABGA (15x15)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    208-LFBGA
  • Autres noms
    IDT70V3589S133BF8
    IDT70V3589S133BF8-ND
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    2Mb (64K x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 208-CABGA (15x15)
  • Fréquence d'horloge
    133MHz
  • Numéro de pièce de base
    IDT70V3589
  • Temps d'accès
    4.2ns

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70V3589S133DRI

70V3589S133DRI

La description: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3589S166BC

70V3589S166BC

La description: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3579S6BF

70V3579S6BF

La description: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3579S6DR

70V3579S6DR

La description: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3589S133BCI

70V3589S133BCI

La description: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3589S166BC8

70V3589S166BC8

La description: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3589S133DRGI

70V3589S133DRGI

La description: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3589S133DRG8

70V3589S133DRG8

La description: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3579S6BF8

70V3579S6BF8

La description: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3589S133BC

70V3589S133BC

La description: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Fabricant: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3589S133BC8

70V3589S133BC8

La description: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

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70V3589S133BFI8

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70V3589S133BFI

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70V3579S6BCI8

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70V3589S133BF

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70V3589S133DRGI8

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70V3579S6BCI

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70V3589S133DR

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70V3589S133DRG

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