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IDT71P73804S200BQ

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  • Modèle de produit
    IDT71P73804S200BQ
  • Fabricant / marque
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    IDT71P73804S200BQ.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SRAM - DDR2
  • Package composant fournisseur
    165-CABGA (13x15)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    165-TBGA
  • Autres noms
    71P73804S200BQ
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    18Mb (1M x 18)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Description détaillée
    SRAM - DDR2 Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 200MHz 7.88ns 165-CABGA (13x15)
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Numéro de pièce de base
    IDT71P73
  • Temps d'accès
    7.88ns

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IDT71P73804S167BQ8

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IDT71P73804S167BQ

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