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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > IS42S32200E-7TL
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2701680IS42S32200E-7TL imageISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S32200E-7TL

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS42S32200E-7TL
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SDRAM
  • Package composant fournisseur
    86-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Autres noms
    706-1081
    IS42S32200E-7TL-ND
    IS42S32200E7TL
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    64Mb (2M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 143MHz 5.5ns 86-TSOP II
  • Fréquence d'horloge
    143MHz
  • Temps d'accès
    5.5ns
IS42S32200E-6BLI

IS42S32200E-6BLI

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32200E-6TLI-TR

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IS42S32200E-7BL

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IS42S32200L-6B

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IS42S32200L-6BL

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IS42S32200L-5TL

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IS42S32200E-7BLI

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IS42S32200L-6BI

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IS42S32200E-6TLI

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