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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > IS43DR86400C-3DBI-TR
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IS43DR86400C-3DBI-TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS43DR86400C-3DBI-TR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR2
  • Package composant fournisseur
    60-TWBGA (8x10.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    60-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (64M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-TWBGA (8x10.5)
  • Fréquence d'horloge
    333MHz
  • Temps d'accès
    450ps
IS43DR82560C-25DBLI

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43DR86400D-25DBLI-TR

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IS43DR82560C-25DBLI-TR

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IS43DR82560C-3DBLI

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IS43DR86400D-3DBI-TR

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IS43DR86400C-25DBL

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IS43DR86400C-25DBLI

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IS43DR86400C-3DBLI

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