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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > IS43DR86400E-3DBLI
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IS43DR86400E-3DBLI

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Spécifications
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    IS43DR86400E-3DBLI
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR2
  • Package composant fournisseur
    60-TWBGA (8x10.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    60-TFBGA
  • Autres noms
    706-1561
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (64M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Délai de livraison standard du fabricant
    6 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 333MHz 450ns 60-TWBGA (8x10.5)
  • Fréquence d'horloge
    333MHz
  • Temps d'accès
    450ns
IS43DR86400E-25DBL

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43LD16128B-25BLI

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43DR86400E-25DBLI

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Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43LD16128B-18BLI

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43LD16128B-18BL-TR

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IS43LD16128B-25BL

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IS43DR86400D-3DBLI

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IS43LD16128B-25BL-TR

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Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43LD16128B-18BL

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IS43DR86400D-3DBI-TR

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IS43DR86400D-25DBLI

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IS43LD16320A-25BLI

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